买卖IC网 >> 产品目录39449 >> NESG7030M04-A DISCRETE RF DIODE datasheet 分离式半导体产品
型号：

NESG7030M04-A

库存数量：65
制造商：CEL
描述：DISCRETE RF DIODE
RoHS：无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT)
NESG7030M04-A PDF下载
特色产品 NESG7030M04 Transistor
标准包装 1
系列 -
晶体管类型 NPN
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 4.3V
频率 - 转换 5.8GHz
噪声系数（dB典型值@频率） 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
增益 14dB ~ 21dB
功率 - 最大 125mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 200 @ 5mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大） 30mA
安装类型 表面贴装
封装/外壳 4-SMD，扁平引线
供应商设备封装 M04
包装 散装
相关资料
属性
链接
代理商 NESG7030M04-A
NESG7030M04-T2-A
NESW008BT
NESW008BT-TS3
NET+ARM
NET1080REV2
供应商
公司名
电话
集好芯城 0755-23607487 张育豪 13360528695
深圳市大源实业科技有限公司 15302619915 李女士
深圳市百润电子有限公司 17876146278 梁
万三科技（深圳）有限公司 18818598465 王俊杰
北京元坤伟业科技有限公司 010-62104931 刘先生
  • NESG7030M04-A 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 1.968 1.968
    10 1.7808 17.808
    100 1.431 143.1
    250 1.272 318
    500 1.113 556.5
    1,000 0.9222 922.2
    2,500 0.8586 2146.5
    5,000 0.8268 4134